摘要:本發(fā)明公開(kāi)了一種磁控濺射制備氫化硅薄膜的方法,該方法將基體預(yù)處理后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備中,以平面Si靶作為Si元素的來(lái)源,通過(guò)調(diào)整中頻脈沖電源的功率控制Si靶的。

二氫化硅人工蛋白石晶體(opal)的制備及其結(jié)構(gòu)性質(zhì)的研究納米球刻蝕法制備的二維有序的CdS納米陣列及其光學(xué)性質(zhì)的研究室溫下Ⅱ-Ⅵ族納米晶粒在Si襯底上的化學(xué)自組裝。

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四氫化硅的化學(xué)反應(yīng)在室溫下,硅烷是一種易燃的氣體,在空氣Zhong,無(wú)需外加火源,硅烷可以自燃。但是有學(xué)者認(rèn)Wei,硅烷本身是很穩(wěn)定的,在自然狀態(tài)下,是以聚He物的狀態(tài)存。

路易斯堿穩(wěn)定的氫化硅亞胺:二胺基氯硅烷與氮雜環(huán)卡賓的反應(yīng)性研究崔海燕a,崔春明ba南京農(nóng)業(yè)大學(xué)理學(xué)院江蘇省農(nóng)藥學(xué)實(shí)驗(yàn)室南京;b南開(kāi)大學(xué)元素有機(jī)化學(xué)。

四氫化硅，無(wú)色氣體，有惡臭味。別名為硅烷、甲硅烷、單硅烷、硅甲烷。四氫化硅為有毒氣體，人體吸入后會(huì)造成頭暈、發(fā)熱、惡心，昏迷等癥狀。物質(zhì)常數(shù)英文名稱S。詳情>>物質(zhì)常數(shù)-環(huán)境影響-監(jiān)測(cè)方法-處置方法-全部

它的熱穩(wěn)定性比二氯硅烷好,在900℃時(shí)分解產(chǎn)生氯化物有毒煙霧(常溫狀態(tài)三氯氫硅HC。在氫化鋁鋰、氫化硼鋰存在條件下,SiHCl3可被還原為硅烷。容器中的液態(tài)SiHCl3當(dāng)容。詳情>>基本信息-安全防護(hù)-危險(xiǎn)分析-全部

四氫化硅，無(wú)色氣體，有惡臭味。別名為硅烷、甲硅烷、單硅烷、硅甲烷。四氫化硅為有毒氣體，人體吸入后會(huì)造成頭暈、發(fā)熱、惡心，昏迷等癥狀。物質(zhì)常數(shù)英文名稱S。詳情>>物質(zhì)常數(shù)-環(huán)境影響-監(jiān)測(cè)方法-處置方法-全部

二氯硅烷在常溫常壓下為具有刺激性窒息氣味和腐蝕性的無(wú)色有毒氣體。空氣中易燃，44℃以上能自燃，燃燒氧化后生成氯化氫和氧化硅。加熱100℃以上時(shí)會(huì)自行分解。詳情>>簡(jiǎn)介-理化性質(zhì)-毒性-安全防護(hù)

3-二異丙基-4,5-二甲基咪唑-2-亞基(IiPr)均不反應(yīng),但是其與位阻較小的1,3,4,5-四甲基咪唑-2-亞基(IMe_4)反應(yīng)生成氫化硅亞胺3.支持CAJ、PDF文件格式,僅支持PDF格式快捷。

摘要:本發(fā)明提供一種結(jié)合氫化硅與氦化硅制作三結(jié)基材型硅薄膜太陽(yáng)能電池,此技術(shù)包括玻璃、透明導(dǎo)電層、金屬背電極、透明導(dǎo)電層、N型氫化微晶硅薄膜、I型氫化。

和一些更的硅氫化合物。目前應(yīng)用多的是甲硅烷。一般把甲硅烷簡(jiǎn)稱做硅烷。硅。硅烷、四氫化硅、甲硅烷、甲矽烷分子量32.12沸點(diǎn)-111.9℃密度1.44g/L(0℃,1bar。詳情>>理化性質(zhì)-制備-應(yīng)用-全部

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測(cè)二氫化硅的儀器二氧化硅含量測(cè)定產(chǎn)品概述:儀器采用單色冷光源,利用微電腦自動(dòng)處理數(shù)據(jù),直接顯示水樣的二氧化硅濃度值。廣泛適用于飲用水、地表水、地面水、污水和。

生成硅酸和氫氣.四氫化硅中的氫為-1價(jià).=-=Zheng負(fù)氫歸中了,是氧化還原反應(yīng)相關(guān)試題3現(xiàn)有7種物質(zhì):①干冰②金剛石③四氫化碳④晶體硅⑤過(guò)氧化鈉⑥二氧化硅晶體⑦氯。

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以四氯化硅(TCS)為催化劑,在乙醇中3,5-二溴苯乙酮經(jīng)縮合反應(yīng)合成了1,3-二(3,5-二溴苯基)丁烯-2-酮-1和1,3,5-三(3,5-二溴苯基)苯,產(chǎn)率分別為24%和30%,并討論了該反應(yīng)的。

摘要以四氯化硅(TCS)為催化劑,在乙醇中3,5-二溴苯乙酮經(jīng)縮合反應(yīng)合成了1,3-二(3,5-二溴苯基)丁烯-2-酮-1和1,3,5-三(3,5-二溴苯基)苯,產(chǎn)率分別為24%和30%,并討論了該。

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條件下制備了一系列的氫化硅氧(SiO_x∶H)薄膜。運(yùn)用Raman譜、XRD和紫外-可見(jiàn)光透射譜(UV-VIS)對(duì)材料的微結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性進(jìn)行測(cè)試與分析。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),薄膜沉積速率高達(dá)。